Neue SiC-Leistungsmodule

Mitsubishi Electric Corporation hat drei unterschiedliche Hybrid-Leistungsmodule auf SiC-Basis (Siliziumkarbid) auf den Markt gebracht, die vor allem für Applikationen in den Bereichen Haushaltsgeräte, Industrie-Ausrüstung und Bahntechnik konzipiert sind.

20. August 2013

Je nach Zielanwendung bietet Mitsubishi diese drei unterschiedlichen Produkte in verschiedenen Gehäusen an. Jedes SiC-Hybrid-Leistungsmodul ist mit Silizium-IGBTs und SiC SBDs (SiC Schottky-Barriere-Dioden) bestückt. Diese Kombination erhöht den Wirkungsgrad, verringert die Verlustleistung und ermöglicht es, die Abmessungen sowie das Gewicht der Umrichter zu reduzieren. Die SiC-Hybrid-IPMs für industrielle Anwendung weisen eine zirka 20 % geringere Verlustleistung auf als die IPMs der S1-Serie von Mitsubishi Electric.

Dadurch ermöglichen sie die Optimierung und Realisierung effizienterer und kleinerer Endprodukte. Das Bauteil ist für eine Nennspannung von 600 V und einen Nennstrom von 200 A spezifiziert. Die Gehäuse-Abmessungen (50 mm x 120 mm) als auch die zur Ansteuerung genutzten Anschlüsse sind kompatibel zum S1-IPM. Der integrierte Kurzschluss-Schutz ist ein weiterer wichtiger Bestandteil des Modules. Zudem sind sie sowohl mit einer eingebauten Treiberschaltung als auch mit einem Schutz vor Unterspannung, Überstrom und Übertemperatur ausgestattet.